国家存储器基地项目在武汉开工

新华社武汉1月2日电（记者李思远、陈俊）总投资240亿美元的国家存储器基地项目日前在武汉东湖高新区正式开工。2020年整体建成后，年产值将超出100亿美元，完成我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的冲破。

此次开工的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉将来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3ＤＮＡＮＤＦｌａｓｈＦＡＢ厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超出3万美元。项目一期筹划2018年建成投产，2020年完成全部项目，总产能将达到30万片／月，年产值将超出100亿美元。

据介绍，国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投一起投资建设。以芯片制作环节为冲破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制作、运用等芯片产业有关环节的发展。

存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制作工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。

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